特許

J-GLOBAL ID：200903006100713229

半導体装置ユニット

発明者： 守屋 祐一 ,  中島 敏博 ,  中場 勝治
出願人/特許権者： 株式会社巴川製紙所
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-141977
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343817
出願日： 2001年05月11日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】 QFN等の半導体装置を製造するに際して、1枚のブレードを用いた場合においてもダイシング工程を高速化することができると共に、封止樹脂硬化工程におけるリードフレームの変形を防止することができ、半導体装置の生産性の向上を図ることができる手段を提供する。【解決手段】 複数のQFN(半導体装置)50を具備する本発明のQFNユニット(半導体装置ユニット)10においては、リードフレーム20の各半導体素子搭載部21に半導体素子30が搭載され、各半導体素子30がボンディングワイヤ31を介してリードフレーム20のリード22に電気的に接続され、各半導体素子30が封止樹脂40により封止された構造になっている。また、複数の半導体素子30を封止する封止樹脂40が一体形成され、かつ、複数のQFN50を得る際の切断箇所Cに沿って、封止樹脂40に凹部41が形成されている。

請求項（抜粋）：

リードフレームに設けられた複数の半導体素子搭載部に各々半導体素子が搭載され、各半導体素子がボンディングワイヤを介して前記リードフレームのリードに電気的に接続されると共に、各半導体素子が封止樹脂により封止されてなり、各半導体素子、各半導体素子に接続された前記ボンディングワイヤ、及び各半導体素子を封止する前記封止樹脂により構成される各半導体装置の外周に沿って切断することにより複数の半導体装置を得ることが可能な半導体装置ユニットにおいて、前記複数の半導体素子を封止する前記封止樹脂が一体形成され、かつ、複数の半導体装置を得る際の切断箇所に沿って、前記封止樹脂の上面に凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置ユニット。

IPC (4件)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/50

FI (4件)：

H01L 21/56 T ,  H01L 23/12 501 T ,  H01L 23/12 501 W ,  H01L 23/50 K

Fターム (13件)：

5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061DA01 ,  5F061DD11 ,  5F067AA01 ,  5F067AB04 ,  5F067BA02 ,  5F067BD05 ,  5F067DB00 ,  5F067DE01 ,  5F067DF01