特許

J-GLOBAL ID：200903006101072626

半導体ウエーハの洗浄液及びこれを用いた半導体ウエーハの洗浄方法

発明者： 真名子 和義
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-179239
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045886
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 重金属を除去する能力を十分発揮し得るHF濃度と、これに関連する洗浄液温度と接触角との関係を考慮し、金属成分除去及びパーティクル除去に使用されて好適な洗浄液と、この洗浄液を用いた半導体ウエーハの洗浄方法を提供すること。【構成】 20°C以下の温度に調節した濃度0.03wt%以上0.05wt%未満の弗酸(HF)水溶液にオゾンを飽和溶解度まで直接溶解させた半導体基板の洗浄液である。更に、本発明は、処理槽内に、20°C以下の温度に調節した濃度0.03wt%以上0.05wt%未満の弗酸(HF)水溶液を充填するとともに、該水溶液にオゾンを飽和溶解度まで直接溶解させて洗浄液を形成した後、前記処理槽内に半導体基板を浸漬してエッチングを行い、しかる後、前記処理槽内に純水もしくはオゾン溶解水を供給してリンスを行う半導体ウエーハの洗浄方法である。

請求項（抜粋）：

20°C以下の温度に調節した濃度0.03wt%以上0.05wt%未満の弗酸(HF)水溶液にオゾンを飽和溶解度まで直接溶解させたことを特徴とする半導体基板の洗浄液。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  C11D 7/02 ,  C11D 7/08