特許
J-GLOBAL ID:200903006103867197
高抵抗性基層の上に形成されたモノリシック直列/並列LEDアレイ
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中村 稔 (外9名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-093914
公開番号(公開出願番号):特開2002-359402
出願日: 2002年03月29日
公開日(公表日): 2002年12月13日
要約:
【要約】【課題】 高抵抗性基層に形成される発光デバイスアレイを提供すること。【解決手段】 アレイ用のp及びn型コンタクトが該アレイの同一面に位置するよう直列/並列LEDアレイが高抵抗性基層上に形成される。個別LEDはトレンチ又はイオン注入で電気的に互いに分離される。アレイに堆積させた内部コネクトはアレイにおける個別LEDのコンタクトに接続する。様々の実施形態ではLEDはサファイア基層上に形成されたIII族窒化物デバイスである。一実施形態では、単一の基層上に形成された2つのLEDは逆並列接続され、モノリシック静電放電保護回路を形成する。一実施形態では単一の基層に形成された多数のLEDは直列接続される。一実施形態では単一の基層上に形成された多数のLEDは並列接続される。様々な実施形態では、蛍光体層が、1以上の個別LEDが形成される基層の一部を覆う。
請求項(抜粋):
高抵抗性基層の上に形成された発光デバイスアレイであって、前記基層の第1部分の上に形成された第1n型層と、該第1n型層の上に形成された第1活性領域と、該第1活性領域の上に形成された第1p型層と、前記第1n型層に接続された第1n型コンタクトと、前記第1p型層に接続された第1p型コンタクトと、を備えた第1発光デバイスであって、前記第1n型コンタクトおよび前記第1p型コンタクトが該デバイスの同一面に形成される第1発光デバイスと、前記基層の第2部分の上に形成された第2n型層と、該第2n型層の上に形成された第2活性領域と、該第2活性領域の上に形成された第2p型層と、前記第2n型層に接続された第2n型コンタクトと、前記第2p型層に接続された第2p型コンタクトと、を備えた第2発光デバイスであって、前記第2n型コンタクトおよび前記第2p型コンタクトが該デバイスの同一面に形成される第2発光デバイスと、前記第1発光デバイスと前記第2発光デバイスとを分離する、トレンチおよびイオン注入領域のうちの一方と、前記第1n型コンタクトおよび前記第1p型コンタクトのうちの一方を、前記第2n型コンタクトおよび前記第2p型コンタクトのうちの一方に接続する、第1内部コネクトと、を具備することを特徴とするアレイ。
IPC (4件):
H01L 33/00
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
, H01L 27/15
FI (4件):
H01L 33/00 E
, H01L 21/28 301 B
, H01L 27/15 Z
, H01L 21/88 B
Fターム (46件):
4M104AA04
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104CC01
, 4M104DD15
, 4M104DD16
, 4M104DD17
, 4M104DD18
, 4M104GG04
, 5F033GG02
, 5F033HH08
, 5F033HH09
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH14
, 5F033QQ09
, 5F033QQ37
, 5F033RR03
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR08
, 5F033VV00
, 5F041AA12
, 5F041AA21
, 5F041AA42
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA49
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA71
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CA93
, 5F041CB11
, 5F041CB25
, 5F041CB36
, 5F041EE25
引用特許:
前のページに戻る