特許
J-GLOBAL ID:200903006103867197

高抵抗性基層の上に形成されたモノリシック直列/並列LEDアレイ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 稔 (外9名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-093914
公開番号(公開出願番号):特開2002-359402
出願日: 2002年03月29日
公開日(公表日): 2002年12月13日
要約:
【要約】【課題】 高抵抗性基層に形成される発光デバイスアレイを提供すること。【解決手段】 アレイ用のp及びn型コンタクトが該アレイの同一面に位置するよう直列/並列LEDアレイが高抵抗性基層上に形成される。個別LEDはトレンチ又はイオン注入で電気的に互いに分離される。アレイに堆積させた内部コネクトはアレイにおける個別LEDのコンタクトに接続する。様々の実施形態ではLEDはサファイア基層上に形成されたIII族窒化物デバイスである。一実施形態では、単一の基層上に形成された2つのLEDは逆並列接続され、モノリシック静電放電保護回路を形成する。一実施形態では単一の基層に形成された多数のLEDは直列接続される。一実施形態では単一の基層上に形成された多数のLEDは並列接続される。様々な実施形態では、蛍光体層が、1以上の個別LEDが形成される基層の一部を覆う。
請求項(抜粋):
高抵抗性基層の上に形成された発光デバイスアレイであって、前記基層の第1部分の上に形成された第1n型層と、該第1n型層の上に形成された第1活性領域と、該第1活性領域の上に形成された第1p型層と、前記第1n型層に接続された第1n型コンタクトと、前記第1p型層に接続された第1p型コンタクトと、を備えた第1発光デバイスであって、前記第1n型コンタクトおよび前記第1p型コンタクトが該デバイスの同一面に形成される第1発光デバイスと、前記基層の第2部分の上に形成された第2n型層と、該第2n型層の上に形成された第2活性領域と、該第2活性領域の上に形成された第2p型層と、前記第2n型層に接続された第2n型コンタクトと、前記第2p型層に接続された第2p型コンタクトと、を備えた第2発光デバイスであって、前記第2n型コンタクトおよび前記第2p型コンタクトが該デバイスの同一面に形成される第2発光デバイスと、前記第1発光デバイスと前記第2発光デバイスとを分離する、トレンチおよびイオン注入領域のうちの一方と、前記第1n型コンタクトおよび前記第1p型コンタクトのうちの一方を、前記第2n型コンタクトおよび前記第2p型コンタクトのうちの一方に接続する、第1内部コネクトと、を具備することを特徴とするアレイ。
IPC (4件):
H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/15
FI (4件):
H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 27/15 Z ,  H01L 21/88 B
Fターム (46件):
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104GG04 ,  5F033GG02 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033VV00 ,  5F041AA12 ,  5F041AA21 ,  5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA71 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA93 ,  5F041CB11 ,  5F041CB25 ,  5F041CB36 ,  5F041EE25
引用特許:
審査官引用 (5件)
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