特許
J-GLOBAL ID：200903006105310513
半導体ウェーハの欠陥測定方法及び同装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217634
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064136
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェーハの表層部における欠陥実際の大きさを反映した散乱光強度の分布を正確に測定することができる。【解決手段】 ウェーハWの欠陥からの散乱光L2 に基づきその欠陥分布を測定する場合には、光源2及び光学系3でSi吸収波長の光L1 をウェーハWに照射し、その照射光L1 が基の散乱光L2 を発生させる。そして、この散乱光L2 を検出器4及び光学系5により受光する。このような操作をウェーハW全域に渡って行い、その走査結果を計算機6により欠陥表示情報として加工する。このとき、Siによる光の吸収の影響を取除く補正を行うこととなる。【効果】 ウェーハ表層部の欠陥の実際の大きさを反映した散乱光強度分布を正確に測定することができる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハの欠陥からの散乱光に基づいて該半導体ウェーハ内の欠陥分布を測定する半導体ウェーハの欠陥測定方法において、ウェーハ材料により吸収される光を前記半導体ウェーハに照射し、該半導体ウェーハ内の欠陥から発生した散乱光を捕える走査システムにより前記半導体ウェーハの必要域を走査する段階と、その結果を前記半導体ウェーハ内の欠陥表示情報として加工する段階と、該欠陥表示情報から前記半導体ウェーハの材料による光の吸収の影響を取除く補正を行う段階とを備えている半導体ウェーハの欠陥測定方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 N
, G01N 21/88 E
