特許
J-GLOBAL ID:200903006106654135
電界電子放出素子とその製造方法及び画像表示装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
外川 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-293297
公開番号(公開出願番号):特開2003-100198
出願日: 2001年09月26日
公開日(公表日): 2003年04月04日
要約:
【要約】【課題】エミッタとゲートとの間に印加する低い電圧で駆動し、かつ放出電子のアノード電極への収束度の高い電界電子放出素子のアレイを工程数少なく、歩留まりを高く、しかも比較的安価な微細加工装置を用いて作製する。【解決手段】基板と、前記基板上に形成された導電性固定層と、前記固定層上に立つ針状導体群と、前記針状導体群よりも厚く、前記固定層及び前記針状導体群上に形成され、開口部に前記針状導体群の一部を露出する導体層と、前記導体層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成されたゲート電極とを備えたことを特徴とする電界電子放出素子。
請求項(抜粋):
基板と、前記基板上に形成された導電性固定層と、前記固定層上に立つ針状導体群と、前記針状導体群よりも厚く、前記固定層及び前記針状導体群上に形成され、導電体開口部全底に前記針状導体群の一部を露出する導体層と、前記導体層上に形成され、前記導電体開口部に連続する絶縁開口部を有する絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記絶縁開口部端に延びるゲート電極とを備えたことを特徴とする電界電子放出素子。
IPC (3件):
H01J 1/304
, H01J 9/02
, H01J 31/12
FI (3件):
H01J 9/02 B
, H01J 31/12 C
, H01J 1/30 F
Fターム (7件):
5C036EE03
, 5C036EE14
, 5C036EE19
, 5C036EF01
, 5C036EF06
, 5C036EF09
, 5C036EG12
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