強誘電体メモリ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-311088
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134974
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】強誘電体メモリ装置に関し、メモリセル構造を単純化して集積度を向上させると共に、簡素化した駆動が可能な強誘電体メモリ装置を提供する。【解決手段】第1の一導電型領域2と反対導電型領域1との間に形成されたpn接合の少なくとも一部を覆うようにゲート絶縁膜4〜6の一部に強誘電体を用いたゲート部8を設けてゲートコントロールダイオードを構成すると共に、反対導電型領域1とpn接合を形成する第2の一導電型領域3を設け、この第2の一導電型領域3をゲート電極7と電気的に接続する。

請求項（抜粋）：

第1の一導電型領域と反対導電型領域との間に形成されたpn接合の少なくとも一部を覆うようにゲート絶縁膜の一部に強誘電体を用いたゲート部を設けてゲートコントロールダイオードを構成すると共に、前記反対導電型領域とpn接合を形成する第2の一導電型領域を設け、前記第2の一導電型領域をゲート電極と電気的に接続したことを特徴とする強誘電体メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/10 451

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 451

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