特許

J-GLOBAL ID：200903006111606955

ポジ型フォトレジスト組成物

発明者： 佐藤 健一郎
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-231670
公開番号（公開出願番号）：特開2002-040662
出願日： 2000年07月31日
公開日（公表日）： 2002年02月06日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイスの製造において、ラインエッジラフネスが改善され、現像欠陥の発生が軽減されたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】特定の繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(NI)で示される繰り返し構造単位、下記一般式(NII)で示される繰り返し構造単位、及び下記一般式(I)で表される繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】【化2】【化3】一般式(NI)中、Rn1〜Rn4は、各々独立に水素原子又は置換基を有しても良いアルキル基を表す。aは0または1である。一般式(NII)中、Rn5は、水素原子又はメチル基を表す。Anは、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。Wは、-C(Rna)(Rnb)(Rnc)で表される基あるいは-CH(Rnd)-O-Rneで表される基を表す。ここで、Rna、Rnb、Rncは、各々、置換基としてハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基あるいはアシロキシ基を有していてもよい、炭素数1個〜20個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。ただし、RnaとRnbは、互いに結合して共通に結合している炭素原子とともに脂環式環を形成してもよい。この場合、Rncは炭素数1〜4のアルキル基である。Rndとしては、水素原子又はアルキル基を表す。Rneとしては、置換基としてハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基あるいはアシロキシ基を有していてもよい、炭素数1〜20の直鎖状あるいは分岐状アルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。一般式(I)において、Aは単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。Rは水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、シアノ基、又はハロゲン原子を表す。

IPC (5件)：

G03F 7/039 601 ,  C08K 5/00 ,  C08L 35/00 ,  C08L 65/00 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/039 601 ,  C08K 5/00 ,  C08L 35/00 ,  C08L 65/00 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (32件)：

2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB06 ,  2H025CB10 ,  2H025CB43 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J002BG04X ,  4J002BG07X ,  4J002BG07Y ,  4J002BH024 ,  4J002CE00W ,  4J002CH055 ,  4J002EB006 ,  4J002EH007 ,  4J002EH037 ,  4J002EH157 ,  4J002EN136 ,  4J002EQ006 ,  4J002EV266 ,  4J002EV296 ,  4J002EW176 ,  4J002EZ006 ,  4J002FD146 ,  4J002FD315 ,  4J002FD317 ,  4J002GP03