特許

J-GLOBAL ID：200903006119665039

アライメントマーク及びその製造方法と、このアライメントマークを用いた露光方法及びこの露光方法を用いて製造された半導体装置

発明者： 野村 博 ,  東川 巌 ,  熊谷 明敏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082090
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153676
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】 高反射率の下地基板上でのアライメント信号のS/Nを大きくし、高精度のアライメントを可能とするアライメントマークを提供する。【構成】 段差部分を有するアライメントマーク領域が所定位置に設けられた基板と、このアライメントマーク領域で基板上に積層された金属膜を含む積層膜と、前記段差部分の凸部分に比べて凹部分に、より多く残置された、前記アライメントマーク領域に照射するアライメント光の一部の波長領域の光を吸収する光吸収層とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

段差部分を有するアライメントマーク領域が所定位置に設けられた基板と、このアライメントマーク領域で基板上に積層された金属膜を含む積層膜と、前記段差部分の凸部分または凹部分のいずれかに、より多く残置された、前記アライメントマーク領域に照射するアライメント光の一部の波長領域の光を吸収する光吸収層とを具備することを特徴とするアライメントマーク。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 9/00

FI (2件)：

H01L 21/30 502 M ,  H01L 21/30 510

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭63-009933
  
• 特開昭63-094621
  
• 特開昭62-051220
  
• 特開平3-156911