特許

J-GLOBAL ID：200903006121975649

保護ダイオードを備えたCMOS半導体装置

発明者： 丹羽 寿雄
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 最上 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305691
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121684
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 LDD構造のCMOS半導体装置において静電耐圧を向上させた保護ダイオードを設ける。【構成】 半導体基板1に形成された保護ダイオードを有するLDD構造のCMOS半導体装置において、Pウェル2内に形成されるNチャネルMOSFETのソース・ドレイン領域は高濃度n型拡散層4が低濃度n型拡散層3に完全に覆われる構造を有し、Pウェル2内に形成されるN型保護ダイオードの活性領域には低濃度n型拡散層3を設けずに、PN接合面をPウェル2と高濃度n型拡散層4の接合部で構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された入力及び出力保護ダイオードを備えたLDD構造のCMOS半導体装置において、Pウェル内に形成されているNチャネルMOSFETのソース・ドレイン領域は高濃度n型拡散層が低濃度n型拡散層に完全に覆われている構造を有しており、前記入力及び出力保護ダイオードの中のPウェル内に形成されているN型保護ダイオードの活性領域には、前記NチャネルMOSFETのソース・ドレイン領域を構成している低濃度n型拡散層を設けずに、N型保護ダイオードのPN接合面がPウェルと高濃度n型拡散層の接合部で構成されていることを特徴とする保護ダイオードを備えたCMOS半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/092 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (4件)：

H01L 27/08 321 E ,  H01L 27/06 311 B ,  H01L 27/08 321 H ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-076676
  
• 特開昭61-156856