特許
J-GLOBAL ID：200903006129039870
結晶の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-184163
公開番号（公開出願番号）：特開平5-009090
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月19日
要約：
【要約】【目的】【構成】 基体の表面に堆積した非晶質絶縁物からなる層の表面上に、非晶質半導体膜の固相成長もしくは多結晶半導体膜の粒成長によって、単一に凝集するのに十分に微細な半導体薄膜を設け、この薄膜に熱処理を施して凝集現象を生起させることにより単一体の単結晶へと変化させたのち、この単結晶を種結晶として半導体単結晶を成長させる。【効果】 結晶方位がほぼ完全に揃った単結晶部が形成でき、これにより結晶上に作られる素子の結晶方位の違いに起因する特性のバラツキが抑えられる。
請求項（抜粋）：
非晶質絶縁物の表面を有する基体に、非晶質半導体膜の固相成長もしくは多結晶半導体膜の粒成長によって得られる大粒径半導体多結晶膜を形成する工程と、該大粒径半導体多結晶膜を単一に凝集するのに十分に微細な大きさにパターニングする工程と、前記パターニングされた大粒径半導体多結晶膜に熱処理を施して凝集現象を生起させることにより単一体の単結晶へと変化させる工程と、ついでこの単結晶を種結晶として半導体単結晶を成長させる工程とを具備することを特徴とする結晶の成長方法。
IPC (3件)：
C30B 1/02
, H01L 21/20
, H01L 21/205
