特許

J-GLOBAL ID：200903006130749260

改良型電界効果トランジスタ構成体及び製造方法

発明者： メーデイ ザマーニアン
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-078111
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102185
出願日： 1992年04月01日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体電界効果装置の製造方法を規定する。【構成】 電界効果装置においてゲート電極14を形成した後に、第一の軽度にドープしたドレイン領域16及び反対導電型のハロー領域18を注入により基板10内に形成する。次いで、本装置上に第一の薄い酸化物層20を形成し、次いで第二の軽度にドープしたドレイン領域22を注入により形成する。この第二の軽度にドープしたドレイン領域は、この薄い酸化物層の厚さだけ、第一の軽度にドープしたドレイン領域よりも電界効果装置のチャンネルから更に離隔されている。次いで、本装置上に第二の酸化物層24を形成し、次いで非等方的エッチバックを行なって本装置のゲート電極に沿って側壁領域24を形成する。この側壁領域は、ソース/ドレイン領域28を形成するための高度の不純物注入を整合させるために使用される。

請求項（抜粋）：

半導体電界効果装置の製造方法において、第一導電型を持った半導体基板上に導電性ゲート電極を形成し、第二導電型を持った不純物を前記基板内に注入しその際に前記ゲート電極に隣接して前記基板内に第一の軽度にドープしたドレイン領域を形成し、前記基板及び前記ゲート電極上に第一絶縁層を形成し、前記第二導電型を持った不純物を前記基板内に注入しその際に前記第一の軽度にドープしたドレイン領域に隣接して第二の軽度にドープしたドレイン領域を形成し且つ前記第二の軽度にドープしたドレイン領域は前記第一の軽度にドープしたドレイン領域よりも高い不純物濃度を有しており、前記第一絶縁層上に第二絶縁層を形成し、前記第一及び第二絶縁層を非等方的にエッチバックして前記ゲート電極近くの前記基板の一部を露出させると共に前記ゲート電極に沿って側壁絶縁体領域を形成し、前記第二導電型の不純物を前記基板内に注入してソース/ドレイン領域を形成する、上記各ステップを有することを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 L