半導体基板の研削加工方法ならびに半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-063822
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260738
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】ウェーハの裏面研削において、化学エッチング等を必要とすることなく研削加工のみで高精度の研削仕上げ面を得る。【解決手段】研削砥石とウェーハとを相対的に回転させつつ接触させることでウェーハの裏面(回路形成面の反対側)の研削加工を行うウェーハの研削加工において、研削砥石として、ダイヤ砥粒径2〜4μm(#4000)のレジンボンド研削砥石を用い、研削砥石の回転速度をN1とし、ウェーハの回転速度をN2とした時、N2/N1≦0.025〜0.006の条件下で加工する。また、裏面研削加工完了からダイシング工程に至る間の取扱いでは、裏面研削で薄くなり損傷しやすいウェーハを、平坦状態を維持して保持する平面吸着治具を用いることで、破損を防止する。

請求項（抜粋）：

研削砥石と半導体基板とを相対的に回転させつつ接触させることで前記半導体基板の一主面の研削加工を行う半導体基板の研削加工方法であって、前記研削砥石として、ダイヤ砥粒径2〜4μm(#4000)のレジンボンド研削砥石を用い、前記研削砥石の回転速度をN1とし、前記半導体基板の回転速度をN2とした時、N2/N1≦0.025〜0.006の条件下で加工すること、を特徴とする半導体基板の研削加工方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 631 , B24B 1/00 , B24B 7/04 , H01L 21/301

FI (4件)：

H01L 21/304 631 , B24B 1/00 A , B24B 7/04 A , H01L 21/78 N

Fターム (27件)：

3C043BA09 , 3C043BA11 , 3C043BA15 , 3C043BA17 , 3C043CC04 , 3C043CC12 , 3C043DD05 , 3C043DD14 , 3C049AA04 , 3C049AA09 , 3C049AA18 , 3C049AB03 , 3C049AB04 , 3C049AB09 , 3C049AC01 , 3C049AC02 , 3C049BA04 , 3C049BA07 , 3C049BA09 , 3C049BC01 , 3C049BC02 , 3C049CA01 , 3C049CB01 , 3C049CB02 , 3C049CB03 , 3C049CB05 , 3C049CB10

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