特許

J-GLOBAL ID：200903006133718978

イオン応答センサとその製造方法およびMOSFETの製造方法

発明者： 冨田 勝彦 ,  野村 聡
出願人/特許権者： 株式会社堀場製作所
代理人 (1件)： 藤本 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-172839
公開番号（公開出願番号）：特開平9-005293
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 従来にはない新規で有用なイオン応答センサとその製造方法およびMOSFETの製造方法を提供すること。【構成】 イオン応答センサの製造方法は、シリコン基板2をチャンバ1内に設け、このチャンバ1内にイオン応答物質成分を含む反応ガスGを流しながら紫外線レーザLをシリコン基板2に照射することにより、シリコン基板2上にイオン応答物質層3を形成するようにした。

請求項（抜粋）：

シリコン基板をチャンバ内に設け、このチャンバ内にイオン応答物質成分を含む反応ガスを流しながら、シリコン基板に紫外線レーザを照射してシリコン基板上にイオン応答物質層を形成するようにしたことを特徴とするイオン応答センサの製造方法。

IPC (2件)：

G01N 27/414 ,  G01N 27/333

FI (2件)：

G01N 27/30 301 G ,  G01N 27/30 331 E