特許

J-GLOBAL ID：200903006136405849

磁気抵抗読取り変換器

発明者： ウルフガング・エム・グーボー ,  ジェームス・ケント・ハワード ,  ハン-チャン・ワード・ハン ,  チェンエ・ワン ,  ロバート・オット・シュウェンカー ,  ジェームス・チェン・ウイ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-329797
公開番号（公開出願番号）：特開平5-258247
出願日： 1992年12月10日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 MRセンサの連続的な加工処理の間ばかりかセンサの有効寿命にわたって安定性を保持する望ましい特性を有したMRセンサ用の導電性リード構造を提供すること。【構成】 磁気抵抗(MR)読取り変換器は、MR物質の薄膜層と、各々が一定間隔でMR物質の薄膜層(32)に電気的に接続している複数の導電性リード構造(38,41)から成る。導電性リード構造は薄膜シード層(49)によってMR物質の薄膜から離した体心立方タンタルの薄膜(47)から成る。このシード層は、チタンとタングステンの合金、タンタルとタングステンの合金、クロムおよびタングステンから成るグループから選んだ物質で形成する。【効果】 MR導電性リード構造は低い抵抗率と優れた腐食抵抗を有し、製造過程でのMRセンサの加工工程ばかりか実用段階のディスクファイルにおけるMRセンサの予想利用期間においても安定性を保持できる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成した磁気抵抗物質の層と、一定間隔で該磁気抵抗物質の層に電気的に接続している複数の導電性リード構造から成り、該導電性リード構造の各々はシード層によって該磁気抵抗物質から離した体心立方タンタルの層から成り、該タンタルの層と該シード層は該リード構造内で同一の広がりをもっており、信号出力手段を二個の該導電性リード構造間に接続させると、該磁気抵抗物質の層で遮断された磁界に応じた該磁気抵抗物質内の抵抗変化を検出可能となることを特徴とする磁気センサ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-003306
  
• 特開平4-003306
  
• 特開平3-248568