特許

J-GLOBAL ID：200903006139471281

半導体装置

発明者： ▲高▼橋 美朝 ,  小林 研也
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-256671
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198816
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】縦型電界効果トランジスタのドレイン・ソース間寄生ダイオードが逆回復動作する場合の破壊耐量を向上させる。【構成】複数のトランジスタ6が並列接続されたセル領域1の外周部10に少なくとも1列以上のダイオード9あるいはダイオード27を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面上に、外部引き出し用の電極パッド部と、複数のトランジスタが並列接続されたセル領域とを有する半導体装置において、前記半導体基板に前記半導体基板を一方の電極領域とする複数のダイオードを前記セル領域の外周部の少なくとも一部に一列以上の列をなして形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/06

FI (3件)：

H01L 29/78 321 K ,  H01L 27/06 311 B ,  H01L 29/78 321 W

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-084865
  
• 特開昭63-073564
  
• 特開昭61-124178