特許
J-GLOBAL ID：200903006150462995
半導体基板表面処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-195394
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045305
出願日： 1992年07月22日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 ウェハ表面の各種汚染物を効果的に除去して安定した酸化膜を形成することができるとともに、表面処理中に予期しない汚染物が付着したり意図しない酸化物が形成しない。【構成】 ウェハ14a上のパーティクル汚染物、有機汚染物および金属汚染物を酸洗浄液およびアルカリ洗浄液で除去するウェット処理ステーション10と、ウェハ14b上の酸化膜を除去するHF処理ステーション11と、酸素を供給しながら紫外光をウェハ14cに照射してウェハ14c上に酸化膜を形成する紫外線処理ステーション12とを備えている。各ステーション10、11、12は不活性ガスで維持された外枠1内に配設され、外枠1内の搬送装置6により各ステーション10、11、12間でウェハが不活性雰囲気中で搬送される。
請求項（抜粋）：
ウェハ表面のパーティクル汚染物および有機汚染物を除去するアルカリ洗浄液と、ウェハ上の金属汚染物を除去する酸洗浄液とを順次噴射してウェハを浄化するウェット処理ステーションと、ウェハに対して弗化水素を気相状態で供給し、ウェハ表面に形成された酸化膜を除去する弗化水素処理ステーションと、表面の酸化膜が除去された後のウェハに対して紫外光を照射して酸素を供給することにより、ウェハ表面の微量有機物を分解除去するとともにウェハ表面に酸化膜を形成する紫外線処理ステーションとを配置し、各ステーションを大気中から隔離するとともに、各ステーション間において前記ウェハを大気から隔離した状態で搬送するウェハ搬送装置を設けたことを特徴とする半導体基板表面処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
