特許
J-GLOBAL ID：200903006150799981
半導体装置とアクティブマトリックス基板および液晶表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-239699
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087717
出願日： 1997年09月04日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】バックライトや光源を用いる高輝度の液晶表示装置のコントラスト低下や表示むらなどの画質劣化を改善する光リーク電流を抑制したTFT(Thin Film Transistor)を備えた液晶表示装置用アクティブマトリックス基板の提供。【解決手段】透明基板上にゲート電極2、半導体層4、ソース電極7、ドレイン電極6を備えた電界効果型TFTと透明電極を有するアクティブマトリックス基板の前記ゲート電極2のエッジ上の半導体層の幅が、ゲート電極上のチャネル部の半導体層の幅より小さく形成(a<b)されているアクティブマトリックス基板。
請求項（抜粋）：
ゲート電極、半導体層、ソース電極、ドレイン電極を備えた電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極のエッジ上の半導体層の幅がゲート電極上のチャネル部の半導体層の幅より小さく形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 618 C
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 616 T
