特許
J-GLOBAL ID：200903006156993232
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山崎 宏
, 田中 光雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-055156
公開番号（公開出願番号）：特開2009-212374
出願日： 2008年03月05日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：
【課題】複数のワイドギャップ半導体素子を並列接続した構成において、簡単な製造プロセスで複数のワイドギャップ半導体素子の電気的特性を揃えることができ、特定の素子に電流集中することなく大電流を流すことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】pn接合ダイオード毎に電圧電流特性を測定し(特性測定工程S5,S9)、測定されたpn接合ダイオードの電圧電流特性に基づいて、電子線を照射することにより目標電圧電流特性に近づけることが可能なpn接合ダイオードについて、目標電圧電流特性にするための電子線量を算出する(電子線量算出工程S6)。上記電子線を照射することにより目標電圧電流特性に近づけることが可能なpn接合ダイオードに対して、算出された電子線量の電子線を照射する(電子線照射工程S8)。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数のワイドギャップ半導体素子が並列接続された半導体装置の製造方法であって、
上記複数のワイドギャップ半導体素子をウエハ上に形成する素子形成工程と、
上記ワイドギャップ半導体素子毎に電極を形成する電極形成工程と、
上記ワイドギャップ半導体素子毎に上記ウエハを分割する分割工程と、
上記分割されたワイドギャップ半導体素子毎に電気的特性を測定する特性測定工程と、
上記特性測定工程により測定された上記ワイドギャップ半導体素子の電気的特性に基づいて、電子線を照射することにより目標電気的特性に近づけることが可能な上記ワイドギャップ半導体素子について、上記目標電気的特性にするための電子線量を算出する電子線量算出工程と、
上記電子線を照射することにより目標電気的特性に近づけることが可能な上記ワイドギャップ半導体素子に対して、上記電子線量算出工程で求められた電子線量の電子線を照射する電子線照射工程と、
上記電子線照射工程において上記電子線が照射された上記ワイドギャップ半導体素子を加熱するアニール工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/861
, H01L 21/28
, H01L 21/329
, H01L 21/322
H01L29/91 F
, H01L21/28 301R
, H01L29/91 A
, H01L21/28 301B
, H01L21/322 L
4M104AA03
, 4M104AA04
, 4M104BB05
, 4M104BB14
, 4M104CC01
, 4M104DD34
, 4M104FF02
, 4M104FF17
, 4M104GG02
, 4M104GG06
, 4M104GG07
, 4M104GG08
, 4M104GG18
