特許

J-GLOBAL ID：200903006162662710

低電圧集積回路とその製造方法

発明者： バーナード エル.モーリス
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-050645
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270649
出願日： 1998年03月03日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】高電圧に対応でき、低電圧回路にインタフェースされ、高電圧回路と共に動作することができるI/Oバッファを有する低電圧用集積回路を提供する。【解決手段】他の低電圧回路に接続される入力バッファを有する低電圧集積回路において、前記入力バッファは、第1チャネルノードDを基準電圧(VDD)に、第2チャネルノードSを電流ソースI1に結合するバッファトランジスタM1を有し、前記バッファトランジスタのゲートGは、入力バッファへの基準電圧の最大2倍までの振幅の入力電圧を受け入れ、前記バッファトランジスタのソースSは、他の低電圧回路M2、M3に電圧を提供する。

請求項（抜粋）：

他の低電圧回路に接続される入力バッファを有する低電圧集積回路において、前記入力バッファは、第1チャネルノード(D)が基準電圧(VDD)に、第2チャネルノード(S)が電流ソース(I1)に結合されるバッファトランジスタ(図2のM1)を有し、前記2つのチャネルノードは、前記バッファトランジスタのソース(S)とドレイン(D)であり、前記バッファトランジスタのゲート(G)は、入力バッファへの基準電圧の最大2倍までの振幅の入力電圧を受け入れ、前記バッファトランジスタのソース(S)は、他の低電圧回路(図2のM1、M2)に電圧を提供することを特徴とする低電圧集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03K 19/0175

FI (2件)：

H01L 27/04 E ,  H03K 19/00 101 K

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭50-091231
  
• 特開昭51-009675