特許

J-GLOBAL ID：200903006163388395

半導体多層反射膜

発明者： 栗原 香
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-000644
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140721
出願日： 1991年01月08日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 面発光レーザなどに用いられる半導体多層反射膜は、2種類の屈折率の大きく異なる物質を用いるが、バンドの不連続によりスパイクが生じ、キャリヤ走行の障壁となり高抵抗になる。本発明の目的はこのスパイクの幅を狭め、トンネル電流を増加させて反射膜のヘテロ接合部の抵抗を減らすことにある。【構成】 半導体多層反射膜14部分のn型部ではワイドギャップ半導体3のバイアス電圧の-側のヘテロ界面から0〜100A入ったところに、p型では+側のヘテロ界面から0〜100A入ったところにそれぞれ20A程度の幅でδ関数的に高濃度ドーピング領域11を形成する。【効果】 高濃度ドーピング領域の形成によりスパイクの幅を減らすことができる。又、部分的に高濃度にすることにより、結晶性への悪影響を低減でき高品質で抵抗の小さい半導体多層反射膜が得られる。

請求項（抜粋）：

屈折率とバンドギャップエネルギーが異なる同一導電型の2種類の半導体を、媒質内波長の4分の1の厚さで交互に形成した半導体多層膜と、該半導体多層膜にバイアス電圧印加する電極部とを備え、前記導電型がn型の場合は前記半導体のワイドバンドギャップ半導体の中のバイアス電圧の-(マイナス)側のヘテロ界面近傍に、前記導電型がp型の場合は前記半導体のワイドギャップ半導体の中のバイアス電圧の+(プラス)側のヘテロ界面近傍に、数原子層程度の幅のδ(デルタ)関数的な高濃度不純物ドーピング領域を有することを特徴とする半導体多層反射膜。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00