半導体研磨装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木内修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-115794
公開番号（公開出願番号）：特開平9-277162
出願日： 1996年04月12日
公開日（公表日）： 1997年10月28日
要約：

【要約】【課題】縁だれが小さく、面精度の高い平坦化された半導体表面を得ることができ、さらに研磨中の半導体表面の研磨量を容易に観察又は計測できる半導体研磨装置を提供する。【解決手段】定盤10と、この定盤10の上面に形成され、半導体30表面を研磨する研磨ポリシャ20とを備えた半導体研磨装置において、グリセリン並びにグラファイト粉及びカーボンウイスカーの少なくとも一方を加えたエポキシ樹脂で研磨ポリシャ20を形成した。この研磨ポリシャ20には、厚さ方向へ貫通する透光部32が形成され、このポリシャ20と定盤との間には透明なエポキシ層40が挟まれている。さらに、透明なエポキシ層40に向けて光を出射する光源23と、透明なエポキシ層40を介して取り出された光量を検出する光検出部24と、この光検出部24で検出された光量の変化に基づいて半導体30表面の研磨状態を判断する判断部25とを備える。

請求項（抜粋）：

定盤と、この定盤の上面に形成され、半導体表面を研磨する研磨ポリシャとを備えた半導体研磨装置において、グリセリン並びにグラファイト粉及びカーボンウイスカーの少なくとも一方を加えたエポキシ樹脂で前記研磨ポリシャを形成したことを特徴とする半導体研磨装置。

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