半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-221820
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064166
出願日： 1995年08月30日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】CMP法を用いた平坦化方法において、平坦化後の埋め込み材の高さがパタ-ンによりばらつくことを防止する。【解決手段】基板1上に第1の保護膜3と第2の保護膜4を形成し、第1の保護膜2および第2の保護膜3と基板1を開孔して所望の深さの溝を形成し、この溝内部を埋め、さらに第2の保護膜4上を覆って埋設材料被覆膜7を形成し、化学機械研磨法により埋設材料被覆膜7の表面層を除去し第2の保護膜4を露出し、露出された第2の保護膜4を除去し、化学機械研磨法により埋設材料被覆膜7を研磨し、第1の保護膜3を除去することにより、溝内に埋設材料被覆膜7を埋め込み、第1の保護膜3および第2の保護膜4は化学機械研磨に対して埋設材料被覆膜7よりも研磨率が小さい物質より形成される。

請求項（抜粋）：

基板または基板上の層の上に少なくとも第1の保護膜と第2の保護膜を形成する工程と、前記第1の保護膜および第2の保護膜と前記基板または前記基板上の層を開孔して溝を形成する工程と、この溝を埋め、さらに前記第2の保護膜上を覆って前記埋設材料被覆膜を形成する工程と、化学機械研磨法により埋設材料被覆膜の表面層を除去し前記第2の保護膜を露出する工程と、露出された前記第2の保護膜を除去する工程と、化学機械研磨法により前記埋設材料被覆膜を研磨する工程と、前記第1の保護膜を除去する工程とを具備し、前記第1および第2の保護膜は前記化学機械研磨に対して前記埋設材料被服膜よりも研磨率の小さい物質より形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 , H01L 21/304 321

FI (2件)：

H01L 21/76 L , H01L 21/304 321 S

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