特許

J-GLOBAL ID：200903006181571300

半導体記憶装置

発明者： 宮本 順一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-070554
公開番号（公開出願番号）：特開平7-282590
出願日： 1994年04月08日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】この発明の目的は、キャパシタの占有面積を増大することなく、スキュー時間が無限に続いた場合においても、内部電源電圧の低下を防止でき、性能劣化を抑えることが可能な半導体記憶装置を提供する。【構成】検出回路11によってアドレス信号のスキューが検出されている間、発振回路12はパルス信号Scを発振し、補助昇圧回路14はこのパルス信号Scに応じて内部電源電圧Vint を発生する。したがって、スキュー時間が無限に続いた場合においても、内部電源電圧Vint の低下を防止できる。しかも、補助昇圧回路14及び主昇圧回路15に使用されるキャパシタ14c、15cの容量は小さいため、キャパシタの占有面積を大幅に縮小することができる。

請求項（抜粋）：

電源電圧を昇圧した内部電圧が供給される論理ゲートを有し、この論理ゲートにより、アドレス信号に対して非同期で一意のメモリセルを選択する半導体記憶装置であって、前記アドレス信号の変化を検出する検出手段と、この検出手段の検出出力がアクティブとされている間、所定周波数のパルス信号を生成する生成手段と、前記生成手段から出力されるパルス信号に応じて電源電圧を昇圧して前記内部電圧を発生する昇圧手段とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。