特許

J-GLOBAL ID：200903006183311488

半導体装置

発明者： 宮城 正英
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116519
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156440
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】【課題】実装した半導体素子からの放熱を良くするためにCu張りAl2O3基板の厚さを薄くした場合に、Cu箔からAl2O3板に加わる応力により発生しやすくなる亀裂を防止する。【解決手段】両面のCu箔間の絶縁確保のためにCu箔の縁とAl2O3板の端面との間に設けられる寸法の差をAl2O3板の厚さが0.26〜0.29mmのときに0.5mm以下の範囲に抑えることにより、両面での応力の均衡をとらせて、亀裂の発生を防止する。さらに、両面のCu箔に上下に重なり合うパターンを持たせることにより応力の均衡が向上する。

請求項（抜粋）：

アルミナからなる平板の両面に銅箔の張られた絶縁基板の一面の銅箔上に半導体素子が実装されるものにおいて、アルミナ板の厚さが0.26〜0.29mmであり、両面の銅箔の縁とアルミナ板の端面とのそれぞれの寸法の差の絶対値が0.5mm以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/14

FI (3件)：

H01L 23/36 C ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/14 M

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-010422   出願人：富士電機株式会社