特許

J-GLOBAL ID：200903006192894690

複合フィルムキャリアとその製造方法および半導体パッケージ

発明者： 足立 佳正
出願人/特許権者： 東芝電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-243410
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092690
出願日： 1995年09月21日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 高品質で生産性が高くコストも安いフィルムキャリアとその製造方法及び半導体パッケージを提供する。【解決手段】 本発明は、厚さと材質の異なる複数の絶縁フィルムと導体層を組み合わせた複合フィルムキャリアである。すなわち、第1の膜厚を有する第1の絶縁フィルムと、第1の膜厚よりも薄い第2の膜厚を有する第2の絶縁フィルムと、絶縁フィルム上に形成された導体配線とを具備し、第2の絶縁フィルムがOLB部またはILB部に形成されたことを特徴とする複合フィルムキャリアである。また本発明は、このような複合フィルムキャリアに半導体素子が搭載された半導体パッケージである。さらに本発明は、絶縁フィルムに所定形状の開口部を形成し、絶縁フィルムに導体層を貼着し、導体層貼着面の反対側から熱硬化性絶縁樹脂を塗布し、熱硬化性絶縁樹脂を硬化させることを特徴とする複合フィルムキャリアの製造方法である。

請求項（抜粋）：

第1の膜厚を有する第1の絶縁フィルムと、外部回路と電気的に接続される領域に形成され第1の膜厚よりも薄い第2の膜厚を有する第2の絶縁フィルムと、前記第1または第2の絶縁フィルム上に形成された導体配線とを具備することを特徴とする複合フィルムキャリア。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (2件)：

H01L 21/60 311 W ,  H01L 21/60 311 R