特許
J-GLOBAL ID：200903006198404776
集束イオンビーム加工用ガスノズル
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-176518
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020639
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】集束イオンビーム加工においてガスノズルのスパッタによる試料汚染を防止し、ノズルの試料に対する位置設定を容易にする。【構成】ガスノズルを試料と同じ材料で作製しノズル材料のスパッタによる試料汚染を防止した。また、試料接触によるノズル位置設定でガスノズルの位置設定精度を向上した。【効果】半導体集積回路を加工した場合の試料汚染による回路性能の劣化を防止し、かつ集束イオンビーム加工の高速化,歩留向上を実現する。
請求項（抜粋）：
集積回路上の局所部分に膜堆積を行う集束イオンビーム誘起堆積及び、前記集積回路上の局所部分をエッチングする集束イオンビーム誘起エッチング等の集束イオンビーム加工プロセスにおいて、試料上にガス雰囲気を形成するために用いるガスノズルの材質を、試料の構成元素と同じ物質を用いて作製、或はガスノズルの表面を試料の構成元素と同じ物質を用いて被覆したことを特徴とする集束イオンビーム加工用ガスノズル。
IPC (4件)：
H01J 37/317
, H01J 37/20
, H01L 21/265
, H01L 21/302
