特許
J-GLOBAL ID：200903006204096876
高耐圧半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-201385
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053485
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】 動作時の周囲環境状態に関係なく、リーク電流の発生を抑え、かつ、残留電荷の発生の少ない、高信頼性を有する高耐圧半導体装置の提供。【構成】 一方及び他方の主表面を有し、少なくとも2つのpn接合からなり、側面が露出された半導体基体1と、半導体基体1より大径で、一方の主表面に低抵抗接触された第1主電極6と、他方の主表面に低抵抗接触された第2主電極7と、半導体基体1より大径で、第2主電極7に導電接続された集電電極8と、第1主電極6と集電電極8間の沿面距離が半導体基体1の厚みよりも長くなるように、半導体基体1の露出された側面を加工してなる高耐圧半導体装置において、第1主電極6から露出された側面を介して集電電極8に至る部分を高絶縁材料からなる層9で被覆し、この層9の上に他の絶縁材料層10を被覆させている。
請求項（抜粋）：
一方及び他方の主表面を有し、少なくとも2つのpn接合で構成され、側面が露出された半導体基体と、前記半導体基体より大径であって、前記一方の主表面に低抵抗接触された第1主電極と、前記他方の主表面に低抵抗接触された第2主電極と、前記半導体基体より大径であって、前記第2主電極に導電接続された集電電極と、前記第1主電極と前記集電電極との間の沿面距離が前記半導体基体の厚みよりも長くなるように、前記半導体基体の前記露出された側面を加工してなる高耐圧半導体装置において、前記第1主電極から前記露出された側面を介して前記集電電極に至る部分を高絶縁材料からなる層で被覆し、かつ、前記高絶縁材料からなる層の上に他の絶縁材料の層を被覆させたことを特徴とする高耐圧半導体装置。
IPC (2件)：
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