特許
J-GLOBAL ID：200903006207136674
混合膜の成膜方法および成膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阪本 善朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-139375
公開番号（公開出願番号）：特開平6-331810
出願日： 1993年05月18日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 所望の屈折率を有し、吸収の少ない混合膜を低コストで製作する。【構成】 真空槽1内において蒸発源4から基板Wに向ってSiの蒸気を発生するとともに、酸素ガス供給ライン5aと窒素ガス供給ライン5bからそれぞれ供給された酸素ガスと窒素ガスをイオン化装置5においてイオン化し、基板Wに照射する。酸素ガスと窒素ガスの供給量をそれぞれの供給ライン5a,5bの流量調節装置51dによって制御することで、基板Wに成膜される混合膜のSiO2とSi3 N4 の混合比を変化させることができる。
請求項（抜粋）：
所定の流量比で供給された少くとも2種類の反応ガスをイオン源でそれぞれイオン化する工程と、イオン化された反応ガスを薄膜材料の蒸発粒子とともに基板に照射する工程からなる混合膜の成膜方法。
IPC (3件)：
G02B 5/08
, C23C 14/48
, G02B 1/10
