特許
J-GLOBAL ID：200903006211620661
電界放出型電子源装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-201096
公開番号（公開出願番号）：特開平6-052788
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】 冷陰極とゲート電極との間の距離を短縮しても、冷陰極とゲート電極間の絶縁耐久力が低下することを防ぐことができ、かつ、簡単な製造工程で作製できる電界放出型電子源装置およびその製造方法を提供する。【構成】 n型シリコン基板11の表面に厚さ0.2〜0.3μmの二酸化シリコンマスク15aを形成する。二酸化シリコンマスク15aをマスクとして、シリコン基板11を等方的にエッチングし、冷陰極10の基本となる円錐形状の凸部11aをシリコン基板11表面に形成する。この後、シリコン基板11表面を熱酸化し、0.3〜0.5μm程度の深さの二酸化シリコン層12aを成長させ、絶縁層12の基本となる層を形成する。この表面に更にシリコンを蒸着により0.2μm程度堆積させ、絶縁補助層13を形成する。絶縁層12及び絶縁補助層13の複合膜により、総合的な絶縁機能を持たせる。
請求項（抜粋）：
半導体または金属からなり、凸部を有する基板と、上記基板の表面に対して不純物拡散もしくは熱酸化を施すことによって、上記基板上に形成された絶縁層と、上記凸部の先端部よりも裾野側の基板上に形成された絶縁層の上に形成され、上記絶縁層を構成する物質に比べて、上記絶縁層をエッチング除去する際に用いられるエッチング材料に対して耐腐食性が優れた物質で構成された絶縁補助層と、上記絶縁補助層の上に形成されたゲート電極層と、上記絶縁層をエッチング除去して、上記凸部の先端部を露出すると共に、上記先端部の形状を制御することによって形成された上記凸部の先端部が先端部となる冷陰極とを備えることを特徴とする電界放出型電子源装置。
IPC (4件)：
H01J 1/30
, H01J 9/02
, H01J 21/06
, H01J 31/12
