特許
J-GLOBAL ID:200903006213906872

電力変換装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (11件): 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-235185
公開番号(公開出願番号):特開2008-061374
出願日: 2006年08月31日
公開日(公表日): 2008年03月13日
要約:
【課題】ワイドギャップ半導体素子が低耐熱性部品に熱的な悪影響を及ぼすことを防止しつつ、熱電発電モジュールによって電力変換部の熱を効果的に電力に変換する。【解決手段】インバータ本体(20)の基板を、SiC素子で構成されるIGBT(41)及び帰還ダイオード(42)が実装された高温基板(62)と、該高温基板(62)と熱的に絶縁され、Si素子で構成される整流ダイオード(32)が実装された低温基板(63)とに分割する。熱電発電モジュール(7)を、高温基板(62)に熱的に接続された高温側熱電発電モジュール(7A)と低温基板(63)に熱的に接続された低温側熱電発電モジュール(7B)とに分割する。【選択図】図3
請求項(抜粋):
ワイドギャップ半導体素子(41,42)及び該ワイドギャップ半導体素子(41,42)よりも耐熱温度が低い低耐熱性部品(32)が実装された基板を有する電力変換部(20)と、該電力変換部(20)に熱的に接続され、該電力変換部(20)の熱を電力に変換する熱電発電モジュール(7,407)とを備えた電力変換装置であって、 前記基板は、前記ワイドギャップ半導体素子(41,42)が実装された高温基板(62)と、該高温基板(62)と熱的に絶縁され、前記低耐熱性部品(32)が実装された低温基板(63)とを有しており、 前記熱電発電モジュール(7,407)は、前記高温基板(62)に熱的に接続された高温側熱電発電モジュール(7A,307A)と、前記低温基板(63)に熱的に接続された低温側熱電発電モジュール(7B,307B)とに分割されていることを特徴とする電力変換装置。
IPC (3件):
H02M 7/48 ,  H02M 1/00 ,  H01L 35/30
FI (3件):
H02M7/48 Z ,  H02M1/00 R ,  H01L35/30
Fターム (14件):
5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007CC01 ,  5H007CC07 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04 ,  5H007HA05 ,  5H740BA11 ,  5H740BB05 ,  5H740BB09 ,  5H740PP01 ,  5H740PP02 ,  5H740PP06
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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