特許

J-GLOBAL ID：200903006215550420

プラズマ処理方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061890
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241869
出願日： 1981年11月28日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【目的】反応炉内をクリーニングすること。【構成】反応炉内で水素と塩化水素または塩素とをプラズマ化させることにより反応室内に存在する不純物を除去する。

請求項（抜粋）：

被膜を形成する反応炉内で水素と塩化水素または塩素とをプラズマ化させることにより反応室内に存在する不純物を除去することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  C23C 14/00

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 E ,  C23C 14/00 B ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭55-145338
  
• 特開昭56-090528