特許
J-GLOBAL ID：200903006224670404
プラズマCVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-320883
公開番号（公開出願番号）：特開平10-149995
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：
【要約】【課題】プラズマCVD装置に於いて、長時間を要しているガスクリーニング時間を短縮し、稼働時間を増大させ、スループットの向上を図ると共に過剰なクリーニングによる電極表面の劣化を防止する。【解決手段】プラズマに臨接する処理室10の内面に沿って成膜防御ガスを流し、分解した成膜ガスが接することを防止し、プラズマに臨接する反応室の内面への成膜を防止する。
請求項（抜粋）：
処理室の壁面に沿って成膜防御ガスを流す様構成したことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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