特許
J-GLOBAL ID：200903006226020725
結晶太陽電池およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-133496
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175526
出願日： 1992年05月26日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 開放端電圧の高い、安価な太陽電池を提供する。【構成】 基板101上にシリサイド層102を挟んで非核形成面である絶縁層103が設けられ、隣接するもの同士の間で結晶粒界を有しない単結晶体のSi層104が、絶縁層103内に設けられた核形成面上に成長している。そして、Si層104上には界面再結合を少なくするために開口を有する絶縁層109と半導体接合となる半導体層105が形成され、さらにその上に透明導電膜106と集電電極107が形成されている。
請求項（抜粋）：
非核形成面内に設けられた前記非核形成面よりも核形成密度が高く単結晶体となる核が唯一形成され得るに十分小さい核形成部に単結晶体を成長させ、隣接する前記単結晶体同士が結晶粒界を有しない太陽電池において、前記単結晶体上に開口部を有する絶縁層を有し、該開口部下の単結晶体に半導体接合が形成されていることを特徴とする結晶太陽電池。
IPC (2件)：
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