特許
J-GLOBAL ID：200903006231781149

金スズ接合ペルチェ素子熱電変換モジュール

発明者：
織田 稔

織田 稔 について


出願人/特許権者：
小松エレクトロニクス株式会社

小松エレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-394778
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197982
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 光通信モジュール全体から見た鉛フリー化並びにレーザダイオードの光軸ずれ防止に有用な金スズ接合ペルチェ素子熱電変換モジュールを提供する。【解決手段】 本発明のサーモモジュール10は、放熱側のセラミック基板11と冷却側のセラミック基板12との間にP型熱電半導体素子13aとN型熱電半導体素子13bを複数対接合して成る。セラミック基板11,12の片方の面上には、それぞれ、複数の各々独立したランド部111,121が形成される。各対のP型熱電半導体素子13a,N型熱電半導体素子13bと、セラミック基板11のランド部111並びにセラミック基板12のランド部121との間は、それぞれ金スズ層113,123により接合される。金スズ層113,123としては、金の含有量が概ね80重量パーセントの金スズ共晶組成ハンダが用いられる。
請求項（抜粋）：
複数のP型熱電半導体素子およびN型熱電半導体素子と、前記P型熱電半導体素子およびN型熱電半導体素子を一対ずつ搭載する複数のメタライズ層を有し、前記各熱電半導体素子が対応する前記各メタライズ層を介して電気的に直列接続されるように前記各熱電半導体素子の上下両側に接合される一対のセラミック基板と、前記セラミック基板の一方に設けられるリード部材取付用メタライズ層に接合される電力供給用のリード線または金属ポストとを備え、前記P型熱電半導体素子およびN型熱電半導体素子と前記一対のセラミック基板の前記メタライズ層との間を、金の含有量が概ね80重量パーセントの金スズ共晶組成接接合剤を用いて接合したことを特徴とする金スズ接合ペルチェ素子熱電変換モジュール。
IPC (5件)：
H01L 35/08 ,  H01L 23/38 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/34
FI (5件)：
H01L 35/08 ,  H01L 23/38 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/32 A ,  H01L 35/34
Fターム (2件)：
5F036AA01 ,  5F036BA33
引用特許：
審査官引用 (8件)
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