特許
J-GLOBAL ID：200903006233715682

固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法

発明者：
乾谷 正史

乾谷 正史 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-277522
公開番号（公開出願番号）：特開2009-105316
出願日： 2007年10月25日
公開日（公表日）： 2009年05月14日
要約：
【課題】光電変換素子を積層する構造の固体撮像素子であって、その製造を容易に行うことが可能な固体撮像素子を提供する。【解決手段】本実施形態の固体撮像素子は、画素電極4、光電変換層15R、及び対向電極16からなる光電変換素子と、該光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を出力する信号出力部とが形成されたシリコン層1と、画素電極4、光電変換層15G、及び対向電極16からなる光電変換素子と、該光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を出力する信号出力部とが形成されたシリコン層1と、画素電極4、光電変換層15B、及び対向電極16からなる光電変換素子と、該光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を出力する信号出力部とが形成されたシリコン層1とを積層して構成したものである。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
光電変換素子と前記光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を出力する信号出力部とが形成された半導体基板が複数積層された固体撮像素子。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (3件)：
H01L27/14 E ,  H01L27/14 A ,  H04N5/335 U
Fターム (22件)：
4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA14 ,  4M118CA13 ,  4M118CA27 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118CB20 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118GC07 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024DX01 ,  5C024EX52 ,  5C024GX03 ,  5C024GX07 ,  5C024GZ36 ,  5C024HX03 ,  5C024HX40
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 有機半導体製画像センサ
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-529741   出願人：ユニアックスコーポレイション
  • イメージセンサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-271555   出願人：日本放送協会

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