特許

J-GLOBAL ID：200903006235466523

酸化物超電導積層基板とその製造方法及び超電導集積回路の製造方法

発明者： 和泉 輝郎 ,  小山 敏 ,  塩原 融 ,  田中 昭二 ,  榎本 陽一 ,  江上 雅裕 ,  鈴木 秀雄 ,  飯山 道朝
出願人/特許権者： 財団法人国際超電導産業技術研究センター ,  石川島播磨重工業株式会社 ,  富士通株式会社 ,  住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-277616
公開番号（公開出願番号）：特開2001-101930
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 絶縁膜や、回路用の導電膜が形成される電子デバイス用基板として用いられる高平坦性と高結晶性を有する酸化物超電導結晶基板あるいは誘電体基板を備えており、絶縁膜や導電膜を成膜する際の熱処理に起因して上記酸化物超電導結晶基板にクラックが発生するのを防止することと、上下の基板に形成された電極や配線同士を容易に接続できることのうち、少なくとも一方の課題を解決することを目的とする。【解決手段】 高い平坦性と高結晶性を有する酸化物超電導結晶基板3と、高強度の補強用結晶基板5とが熱圧着されてなる酸化物超電導積層基板1。

請求項（抜粋）：

酸化物超電導単結晶または酸化物超電導多結晶からなる酸化物超電導結晶基板と補強用結晶基板とが熱圧着されてなることを特徴とする酸化物超電導積層基板。

IPC (3件)：

H01B 5/14 ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

FI (3件)：

H01B 5/14 ,  H01L 39/02 ZAA W ,  H01L 39/24 ZAA W

Fターム (11件)：

4M113AD36 ,  4M113AD37 ,  4M113AD39 ,  4M113AD51 ,  4M113BA21 ,  4M113BA29 ,  4M113CA34 ,  4M114AA29 ,  4M114CC09 ,  5G307GA08 ,  5G307GC02