半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-093087
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260412
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】1つの半導体チップ上から、複数の高周波電力を入力又は出力するためのボンディングワイヤが接続されている場合に、そのボンディングワイヤ間の相互誘導による高周波特性の悪化を防止する。【解決手段】高周波電力の入力又は出力のために接続されたボンディングワイヤのうち近接する9aと9dの間にボンディングワイヤ13aを張り、同様に9bと9cの間に13bを張り、集積回路上にはボンディング用引き出し電極10a及び10bが形成され、また半導体集積回路の外部には、電極12a及び12bが形成され、電極10a及び10bか、又は電極12a及び12bが接地されることにより、その間に接続されたワイヤ13a及び13bが必ず接地される構成とされ、近接したワイヤの相互誘導による集積回路としての特性の悪化を防止する。

請求項（抜粋）：

1つの半導体チップ上から複数の高周波電力を入力又は出力するための電極が形成され、該電極からパッケージのリード引き出し電極を含む外部回路へボンディングワイヤにより接続される半導体集積回路において、半導体素子の隣接又は近接した、高周波電力を入力又は出力する電極の間に、ボンディング用の電極を形成し、該ボンディング用の電極から、前記高周波電力を入力又は出力用の電極と前記外部回路の対応する電極を接続するボンディングワイヤとの間に位置するように、前記外部回路上に形成されたボンディング用電極へボンディングワイヤが張られたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (4件)：

H01L 21/60 301 , H01L 21/60 321 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 21/60 301 B , H01L 21/60 321 X , H01L 27/04 E

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