MOS型薄膜トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-195753
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045603
出願日： 1992年07月23日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【構成】下地絶縁層1上にシリサイド層からなるバックゲート電極2を形成する。つぎにTFTのチャネルとなるポリシリコン3、ゲート酸化膜4およびゲート電極5を形成したのち、高濃度ソース・ドレイン6を形成する。つぎにCVD酸化シリコン膜からなる表面保護膜7を形成したのち、アルミニウムからなるソース・ドレイン電極8を形成する。【効果】チャネルを構成するポリシリコンのバックゲート電位を固定することにより、ソース・ドレイン間耐圧を大幅に向上させることができた。

請求項（抜粋）：