特許

J-GLOBAL ID：200903006251770631

半導体装置及びその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  中嶋 節男 ,  河崎 律子
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-223883
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058841
出願日： 1998年08月07日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 活性層と絶縁膜との界面を清浄化するために必要な技術を提供する。【解決手段】 基板101上にゲート配線103を形成し、表面をゲート酸化膜104で覆う。次に、第1絶縁膜105a、第2絶縁膜105b、半導体膜106、保護膜107を大気開放しないで連続的に積層形成する。さらに、保護膜107の上から半導体膜106に対してレーザー光を照射する。この様に、半導体膜の界面を徹底的に清浄化することでTFT特性を良好なものとする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたゲート配線、ゲート絶縁膜、活性層及び当該活性層を覆う層間絶縁膜を含むTFTで形成された回路を有する半導体装置であって、前記ゲート配線と前記TFTとが重なる部分では、前記ゲート配線は当該ゲート配線の酸化物、前記ゲート絶縁膜、前記活性層及び前記層間絶縁膜の多層構造で覆われ、前記ゲート配線のゲートコンタクト部では、前記ゲート配線は前記層間絶縁膜のみの単層構造で覆われていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268

FI (6件)：

H01L 29/78 617 S ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (10件)：

5F052AA02 ,  5F052AA24 ,  5F052BB07 ,  5F052CA02 ,  5F052DA02 ,  5F052EA12 ,  5F052EA13 ,  5F052EA15 ,  5F052HA03 ,  5F052HA06