特許

J-GLOBAL ID：200903006258942659

光電変換素子の作成方法及び光電変換素子

発明者： 吉川 将
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 高石 橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-238351
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051344
出願日： 2001年08月06日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】【課題】 優れた変換効率を示す色素増感光電変換素子の作成方法、この方法で作成した光電変換素子、並びにこの光電変換素子を用いた光電池を提供する。【解決手段】 色素が吸着した半導体微粒子の層と導電性支持体とを有する光電変換素子の作成方法において、半導体微粒子を下記一般式(I)で表される化合物で処理することを特徴とする光電変換素子の作成方法。(A1-L)n1-A2・M ・・・(I)一般式(I)中、A1は負電荷を有する基を表し、A2は塩基性基を表し、Mは(A1-L)n1-A2の負電荷を中和するカチオンを表し、Lは2価連結基又は単なる結合を表し、n1は1〜3の整数を表す。

請求項（抜粋）：

色素が吸着した半導体微粒子の層と導電性支持体とを有する光電変換素子の作成方法において、前記半導体微粒子を下記一般式(I)で表される化合物で処理することを特徴とする光電変換素子の作成方法。(A1-L)n1-A2・M ・・・(I)一般式(I)中、A1は負電荷を有する基を表し、A2は塩基性基を表し、Mは(A1-L)n1-A2の負電荷を中和するカチオンを表し、Lは2価連結基又は単なる結合を表し、n1は1〜3の整数を表す。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Fターム (10件)：

5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051FA01 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE16 ,  5H032EE17

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体微粒子、光電変換素子および光化学電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-218625   出願人：富士写真フイルム株式会社