特許
J-GLOBAL ID：200903006258984289
磁気抵抗効果膜の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038327
公開番号（公開出願番号）：特開平7-243038
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】 実用に十分な感度を持つ巨大磁気抵抗効果を持つとともに、外部磁界印加方向に対する巨大磁気抵抗効果の異方性が軽減された磁気抵抗効果膜の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 磁気抵抗効果膜の製造方法において、導体層と磁性体層とをスパッタ法にて基板16上に交互に成膜することによって人工格子膜を形成するに際して、前記基板16を自転させながら、導体ターゲット12上と磁性体ターゲット13上を交互に通過するように公転させる。このとき、基板16の公転数vと自転数Vを、V≧v/2なる条件が満たされるように設定する。
請求項（抜粋）：
導体層と磁性体層とをスパッタ法にて基板上に交互に成膜することによって人工格子膜を形成するに際して、前記基板を自転させながら、導体ターゲット上と磁性体ターゲット上を交互に通過するように公転させることを特徴とする磁気抵抗効果膜の製造方法。
IPC (5件)：
C23C 14/34
, C23C 14/14
, G11B 5/39
, H01F 41/18
, H01L 43/12
