特許

J-GLOBAL ID：200903006264318711

窒化ガリウム透明導電酸化膜オーム電極の作成方法

発明者： 劉 育全 ,  李 柏樵 ,  富 振華
出願人/特許権者： 泰谷光電科技股▲ふん▼有限公司
代理人 (1件)： 磯兼 智生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-129095
公開番号（公開出願番号）：特開2008-288249
出願日： 2007年05月15日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：

【課題】 イオンの拡散方法で電子、正孔のトンネル効果により前記異形インターフェースのフェルミエネルギーレベルを改良してオーム接触電極を形成させる。【解決手段】 本発明に係る窒化ガリウム透明導電酸化膜オーム電極の作成方法は窒化ガリウム膜層に導電透明膜を形成し、イオンの拡散方法により前記導電透明膜に電気特性が相反する透明導電異形インターフェースを窒化ガリウム膜層の表面に形成し、その表面に対して粗さ化を実行し、前記透明導電異形インターフェースの表面に後続工程でのワイヤボンドに用いるように金属厚膜を貼る。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム膜層に導電透明膜を形成する窒化ガリウム透明導電酸化膜オーム電極の作成方法であって、 (a)窒化ガリウム膜層表面に高仕事関数を有する導電透明膜を形成する工程と、 (b)イオンの拡散方法により前記導電透明膜導に電気特性が相反する透明導電異形インターフェースを窒化ガリウム膜層の表面に形成する工程と、 (c)前記透明導電異形インターフェースの表面に粗さ化工程を実行し、表面の粗さ化を形成する工程と、 (d)前記透明導電異形インターフェースの表面に後続工程でのワイヤボンドに用いるように金属厚膜を貼る工程を含み、 以上のイオンの拡散方法で電子、正孔のトンネル効果により前記異形インターフェースにオーム接触電極を形成させることを特徴とする窒化ガリウム透明導電酸化膜オーム電極の作成方法。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E ,  H01L33/00 C

Fターム (6件)：

5F041AA21 ,  5F041CA40 ,  5F041CA88 ,  5F041CA98 ,  5F041CA99 ,  5F041DA07