特許
J-GLOBAL ID：200903006267419551
基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
間宮 武雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-324899
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275412
出願日： 1992年11月09日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 基板を温純水で洗浄した後その基板表面を乾燥させる処理において、基板表面へのパーティクルの付着を少なくし、基板表面の乾燥を効率良く行なえるようにする。【構成】 温純水を洗浄槽12内へその底部から供給しその上部から溢れ出させて、洗浄槽内部に温純水の上昇水流を形成し、その温純水の上昇水流中に基板を浸漬させて洗浄する。洗浄後、基板を温純水中から引き上げ、洗浄槽内から温純水を排出するとともに、密閉チャンバ16内を真空排気して、基板を減圧乾燥する。少なくとも温純水中からの基板の引上げ工程において、加熱されかつイオン化された窒素ガスを基板の周囲へ供給するようにする。
請求項（抜粋）：
洗浄槽内へその底部から温純水を連続して供給し、洗浄槽の上部からその温純水を溢れ出させて、洗浄槽内部において温純水の上昇水流を形成する工程と、基板を下降させて前記洗浄槽内の温純水中に浸漬させ、温純水の上昇水流によって基板を洗浄する工程と、基板を上昇させて前記洗浄槽内の温純水中から引き上げる工程と、前記洗浄槽内の温純水を洗浄槽から排出する工程と、基板の周囲を減圧し、基板を乾燥させる工程と、基板の周囲を減圧下から大気圧下へ戻す工程とからなり、少なくとも前記した温純水中からの基板の引上げ工程において、加熱されかつイオン化されたガスを基板の周囲へ供給するようにする、基板の洗浄・乾燥処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 361
, H01L 21/304 351
