特許

J-GLOBAL ID：200903006269969095

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 天明 二郎 ,  岡安 雅信 ,  和田 正人
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-128724
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338657
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】 低温プロセスで表面再結合が小さく、化学的に安定な埋め込みウィンドウ構造を提供し、高信頼性で高出力の0.98μm帯半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 単一或いは多重のInyGa1-yAs量子井戸層からなる活性層(6)とAlxGa1-xAsからなるクラッド層(3,9)、ガイド層(4,8)並びにコンタクト層(10)等で構成されたエピタキシャル成長膜を用いた半導体レーザにおいて、共振器両端部に、共振器方向にある一定の長さで、活性層(6)を横切って埋め込まれたInGaP層(11)を持つことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

単一或いは多重のIn<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>As量子井戸層(0<y<0.5)からなる活性層とAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Asからなるクラッド層、ガイド層並びにコンタクト層等で構成されたエピタキシャル成長膜を用いた半導体レーザにおいて、共振器両端部に、共振器方向にある一定の長さで、活性層を横切ってInGaP層を埋め込むことを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-063982
  
• 特開昭59-155977
  
• 特開平4-162584