特許

J-GLOBAL ID：200903006271525145

成膜装置の排気系の運転方法

発明者： 奥村 勝弥 ,  森 重哉 ,  辻村 学
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 熊谷 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-049853
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235495
出願日： 1994年02月22日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】 未反応ガスが反応室を出た後、該ガス同士の反応性をなくすか、極めて低い反応性とした成膜装置の排気系の運転方法を提供すること。【構成】 反応室1及び該反応室1に接続された排気系(仕切弁2、排気配管3及び真空ポンプ4)を具備し、真空状態に排気した反応室1に2種類以上のガスA,Bを該反応室1に導入し、該導入したガスの反応により、対象物表面に所定の膜を形成し、膜形成後該反応室1内の残留ガスを排気系で排気する成膜装置の排気系の運転方法において、膜形成後の反応室1内からの残留ガスA,Bの排気の際、反応室1直後の排気系に反応室1に導入したガスA,Bとの反応性が該導入したガスA,B同士の反応性よりも高く且つ反応後の生成物がガス相であるガスCを導入する。

請求項（抜粋）：

反応室及び該反応室に接続された排気系を具備し、真空状態に排気した前記反応室に2種類以上のガスを導入し、該導入したガスの反応により、対象物表面に所定の膜を形成し、該膜形成後該反応室内の残留ガスを前記排気系で排気する成膜装置の排気系の運転方法において、前記膜形成後の反応室内からの残留ガスの排気の際、前記反応室直後の排気系に前記反応室に導入したガスとの反応性が該導入したガス同士の反応性よりも高く、且つ反応後の生成物がガス相であるガスを導入することを特徴とする成膜装置の排気系の運転方法。