特許

J-GLOBAL ID：200903006279901049

半導体装置の製造方法

発明者： 渡辺 哲男 ,  足立 研 ,  土屋 真二 ,  田中 健基
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-310174
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129285
出願日： 1991年10月30日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 プラズマCVD法により窒化シリコン膜(p-SiN膜)を成膜する際のマイクロダストの発生を防止する。【構成】 第1の工程でSiH4 /NH3 /N2 混合ガスを用いてほぼ目的の層厚分だけp-SiN膜を成膜した後、第2の工程でSiH4 の供給を停止し、RFパワーを印加したまま数秒間成膜を継続する。プラズマ状態がほぼ窒素系ガスのみにより維持され、このRFパワー印加時間内にCVD装置内の残留SiH4 が反応により消費されるので、p-SiN膜上にマイクロダストが発生しない。第2の工程ではp-SiN膜の屈折率が上昇する傾向があるが、これは、電極間距離を第1の工程より縮小するか、RFパワーを低下させるか、あるいはその両方を行うことにより回避できる。

請求項（抜粋）：

シラン系ガスと窒素系ガスとを含む原料ガスを用いてプラズマCVD法により窒化シリコン膜を成膜する第1の工程と、前記シラン系ガスの供給を停止した後もRFパワーを印加しながら窒化シリコン膜の成膜を継続させる第2の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/31