特許
J-GLOBAL ID:200903006279901049

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小池 晃 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-310174
公開番号(公開出願番号):特開平5-129285
出願日: 1991年10月30日
公開日(公表日): 1993年05月25日
要約:
【要約】【目的】 プラズマCVD法により窒化シリコン膜(p-SiN膜)を成膜する際のマイクロダストの発生を防止する。【構成】 第1の工程でSiH4 /NH3 /N2 混合ガスを用いてほぼ目的の層厚分だけp-SiN膜を成膜した後、第2の工程でSiH4 の供給を停止し、RFパワーを印加したまま数秒間成膜を継続する。プラズマ状態がほぼ窒素系ガスのみにより維持され、このRFパワー印加時間内にCVD装置内の残留SiH4 が反応により消費されるので、p-SiN膜上にマイクロダストが発生しない。第2の工程ではp-SiN膜の屈折率が上昇する傾向があるが、これは、電極間距離を第1の工程より縮小するか、RFパワーを低下させるか、あるいはその両方を行うことにより回避できる。
請求項(抜粋):
シラン系ガスと窒素系ガスとを含む原料ガスを用いてプラズマCVD法により窒化シリコン膜を成膜する第1の工程と、前記シラン系ガスの供給を停止した後もRFパワーを印加しながら窒化シリコン膜の成膜を継続させる第2の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件):
H01L 21/318 ,  H01L 21/31

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