特許

J-GLOBAL ID：200903006288483730

薄板状基板の研磨方法

発明者： 大久保安教 ,  佐藤 弘
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-250915
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092710
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 多孔質板を用いた真空チャック装置からなる基板保持盤を使用しても、半導体ウエハの被研磨面全面が極めて高い精度を以て均一な厚みに研磨できる薄板状基板の研磨方法を得ること。【解決手段】 本発明の研磨方法は、回転研磨定盤2とこの研磨定盤2の研磨面に対して研磨しようとする半導体ウエハSを平行状態で真空吸引により保持する多孔質板5Aからなる基板保持盤5などから構成されている研磨装置1を用い、前記多孔質板5Aの微細孔が開口している面5Dに、比較的均一な多数の通気孔7Aが形成されており、そして均一な厚さの弾性パッド7を介して半導体ウエハSを真空吸引しながら、その吸着された半導体ウエハSを研磨する方法を採っている。

請求項（抜粋）：

回転研磨定盤と、本体が多孔質板からなり、前記回転研磨定盤の研磨面に対して研磨しようとする薄板状基板を平行状態で真空吸引により保持する基板保持盤とから構成されている薄板状基板の研磨装置を用いて前記薄板状基板を研磨するに当たり、前記多孔質板の薄板状基板吸引面に比較的均一な多数の通気孔が形成されており、そして均一な厚さの弾性パッドを介して前記薄板状基板を真空吸引しながら、その吸着された薄板状基板を研磨することを特徴とする薄板状基板の研磨方法。

IPC (4件)：

H01L 21/68 ,  B24B 37/04 ,  G02F 1/1333 500 ,  H01L 21/304 321

FI (4件)：

H01L 21/68 P ,  B24B 37/04 E ,  G02F 1/1333 500 ,  H01L 21/304 321 H