特許
J-GLOBAL ID：200903006299680057
化合物半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-327536
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183575
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】表面粗さを規定することによって、エピタキシャル膜の構造を変更せずに発光出力のより高い発光ダイオードを容易に製造する。【構成】n型GaAs基板上にn型GaAs層及びp型GaAs層をエピタキシャル成長した赤外GaAsLED用エピタキシャルウェハを作製する。作製後、表面粗さが20nm<R≦200nmに入るように発光光を取り出す側の面をエッチングする。例えば、H<SB>2 </SB>O:NH<SB>4 </SB>OH:H<SB>2 </SB>O<SB>2</SB>=5:2:1のアルカリ系のエッチング液を用い、約40°Cの温度で1分間エッチングすると、表面粗さは約100nmとなる。これをLEDチップに加工すると、アズグロウン表面のエピタキシャルウェハをそのまま用いて作製した比較例のLEDチップに比して発光出力が向上する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体材料からなる半導体発光素子において、その発光光を取り出す側の面の表面粗さが20nm<R≦200nmであることを特徴とする化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
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