特許

J-GLOBAL ID：200903006308681479

補助パターン付きマスクの製造方法

発明者： 安里 直生 ,  市川 博
出願人/特許権者： エルピーダメモリ株式会社 ,  広島日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-396620
公開番号（公開出願番号）：特開2005-157022
出願日： 2003年11月27日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】 マスク寸法精度を向上させる。【解決手段】 本発明に係るマスク製造方法によれば、ダミーパターン2とデバイスパターン1とを一回目のフォトリソグラフィ及びエッチングでクロム遮光膜102に形成し、この遮光膜102に形成されたダミーパターン2を二回目のフォトリソグラフィ及びエッチングで補助パターン(図示せず)に加工することにより、ダミーパターン2を用いてパターンの面積密度が均一化されるので、デバイスパターン1と補助パターンとを同時に一回のフォトリソグラフィ及びエッチングで形成する従来技術に比べて、エッチングレートによる寸法ばらつきを抑えることができる。したがって、マスク寸法精度を向上できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

デバイスを形成するためのデバイスパターンと、焦点深度幅を拡大させるための補助パターンと、を有する補助パターン付きマスクの製造方法において、 基板上に成膜された遮光膜に対して、パターンの面積密度が均一化するように設計されたダミーパターンを前記デバイスパターンとともに、フォトリソグラフィ及びエッチングを用いて形成する第一工程と、 この第一工程によって前記遮光膜に形成されたダミーパターンを、フォトリソグラフィ及びエッチングを用いて前記補助パターンに加工する第二工程と、 を備えたことを特徴とする補助パターン付きマスクの製造方法。

IPC (2件)：

G03F1/08 ,  H01L21/027

FI (3件)：

G03F1/08 A ,  G03F1/08 L ,  H01L21/30 502P

Fターム (5件)：

2H095BB02 ,  2H095BB31 ,  2H095BB36 ,  2H095BC08 ,  2H095BC09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許5821014号公報