特許
J-GLOBAL ID：200903006313952154
半導体結晶の評価方法、半導体結晶薄膜の製造方法及びその製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-029975
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224276
出願日： 1993年01月25日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 半導体結晶化の進行状態をリアルタイムで評価し、それに応じてレーザ照射エネルギーをリアルタイムで制御する方法及び装置を提供する。【構成】 本発明によれば、基準半導体のバンドギャップ分光反射率分布とレーザアニール処理中の半導体のバンドギャップ分光反射率分布とを比較することにより、容易にリアルタイムで結晶化状態を評価することができる。その評価に基づいて、レーザ照射エネルギーをリアルタイムで調整することで、製品の歩留まり及びスループットの向上を図ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体の結晶化状態を評価するための方法であって、最適な結晶化状態にある基準半導体結晶材料にレーザを照射し、その反射光を分光検出して、その検出値より取得した前記基準半導体結晶材料のバンドギャップ分光反射率分布に関する第1の情報を予め記憶し、評価対象である半導体の評価領域にレーザを照射し、その反射光を分光検出し、その検出値より前記評価領域のバンドギャップ分光反射率分布に関する第2の情報を取得し、前記第1の情報と前記第2の情報とを比較し、その近似度により前記半導体の結晶化状態を評価することを特徴とする半導体結晶の評価方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, G01N 21/00
, G01N 21/27
, H01L 21/268
